ESTIMATION DES PARAMETRES DES PORTEURS MINORITAIRES DANS LES PHOTOPILES A SEMICONDUCTEUR A PARTIR DE LA COURBE DE SENSIBILITE SPECTRALEEVDOKIMOV VM.1972; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 3; PP. 32-38; ABS. ANGL.; BIBL. 2 REF.Serial Issue

THE TEMPERATURE OF HOT ELECTRON IN VARIABLE BAND SEMICONDUCTOR SOLAR CELLS UNDER HIGH INTENSITY ILLUMINATIONEVDOKIMOV VM.1983; GELIOTEHNIKA (TASKENT); ISSN 0130-0997; SUN; DA. 1983; NO 3; PP. 12-15; BIBL. 2 REF.Article

CALCUL DES RESISTANCES SERIE ET PARALLELE D'UNE PILE SOLAIRE A PARTIR DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSIONEVDOKIMOV VM.1972; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 6; PP. 16-22; ABS. ANGL.; BIBL. 8 REF.Serial Issue

LE PHOTOCOURANT DANS LES CONVERTISSEURS PHOTOVOLTAIQUES SOLAIRES A CHAMP NON UNIFORME PROPREEVDOKIMOV VM.1972; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 5; PP. 3-20; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Serial Issue

EFFICIENCY OF THE VOLUME PHOTOVOLTAIC EFFECT OF VARIABLE BAND GAP SEMICONDUCTORS WITH RADIATIVE RECOMBINATIONEVDOKIMOV VM.1981; GELIOTEHNIKA (TASKENT); ISSN 0130-0997; SUN; DA. 1981; NO 1; PP. 15-20; BIBL. 8 REF.Article

INFLUENCE OF REEMISSION EFFECT ON RADIATION RECOMBINATION IN SEMI-CONDUCTORS WITH VARIABLE BAND GAPEVDOKIMOV VM.1981; GELIOTEHNIKA (TASKENT); ISSN 0130-0997; SUN; DA. 1981; NO 4; PP. 22-26; BIBL. 10 REF.Article

THEORETICAL STUDIES OF COLLECTING COEFFICIENT OF CU_2-XS-CDS CELLS TAKING INTO ACCOUNT THE SURFACE STATES AT SEPARATION BOUNDARYAVERBUKH TG; EVDOKIMOV VM.1979; GELIOTEKHNIKA; SUN; DA. 1979; NO 6; PP. 3-7; BIBL. 3 REF.Article

INFLUENCE DE L'HETEROGENEITE DE CHAMP DE FORMATION SUR LE RENDEMENT PHOTONIQUE D'UNE PHOTOPILE A SEMICONDUCTEUREVDOKIMOV VM; MILOVANOV AF.1972; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 4; PP. 24-35; ABS. ANGL.; BIBL. 7 REF.Serial Issue

PHOTOELECTRIC CONVERTERS BASED ON THE VOLUME PHOTOVOLTAIC EFFECTEVDOKIMOV VM; MILOVANOV AF.1981; GELIOTEHNIKA (TASKENT); ISSN 0130-0997; SUN; DA. 1981; NO 2; PP. 22-28; BIBL. 14 REF.Article

PHOTO-F.E.M. DANS LES HETEROSTRUCTURES SEMICONDUCTRICES FORTEMENT ECLAIREESEVDOKIMOV VM; MILOVANOV AF.1980; Z. TEH. FIZ.; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1980; VOL. 50; NO 9; PP. 2011-2014; BIBL. 7 REF.Article

ON THE STATIC CONDUCTIVITY OF A HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORARBUZOV YD; EVDOKIMOV VM.1979; PHYS. STATUS SOLIDI, B; DDR; DA. 1979; VOL. 92; NO 2; PP. 579-583; ABS. RUS; BIBL. 6 REF.Article

STUDY OF PHOTO ELECTRIC CONVERTERS WITH BASE BUILT-IN HOMOGENEOUS FIELD AND MOBILITY AND LIFETIME DEPENDENT FROM DOPE CONCENTRATIONEVDOKIMOV VM; LISOVSKIJ YU L.1976; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 6; PP. 3-10; BIBL. 19 REF.Article

CORRECTIONS A LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE STATIQUE DES SEMICONDUCTEURS FORTEMENT DOPES POUR LA DIFFUSION A PLUSIEURS CENTRESARBUZOV YU D; EVDOKIMOV VM.1979; FIZ. TVERD. TELA; SUN; DA. 1979; VOL. 21; NO 2; PP. 535-540; BIBL. 17 REF.Article

OPTIMIZATION OF EXPONENTIAL DISTRIBUTION OF A DOPING ELEMENT IN THE BASE OF A SEMI-CONDUCTOR PHOTOELECTRIC CONVERTEREVDOKIMOV VM; LISOVSKIJ YU D.1978; GELIOTEKHNIKA; SUN; DA. 1978; NO 4; PP. 23-29; BIBL. 17 REF.Article

RESISTANCE DE SERIE D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE TRANSPARENTEVASIL'EV AM; EVDOKIMOV VM; MILOVANOV AF et al.1973; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 4; PP. 5-16; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Serial Issue

FORME ASYMPTOTIQUE DE LA DENSITE D'ETATS D'UN SYSTEME D'ELECTRONS DANS UN CHAMP ALEATOIREARBUZOV YU D; EVDOKIMOV VM.1979; FIZ. TVERD. TELA; SUN; DA. 1979; VOL. 21; NO 7; PP. 2099-2102; BIBL. 8 REF.Article

STUDY OF THE RELATIONSHIPS BETWEEN THE PROBABILIST CHARACTERISTICS OF PHOTOELEMENTS AND SOLAR BATTERIESASHARIN LN; EVDOKIMOV VM; LANDSMAN AP et al.1976; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., ENERGET. TRANSP.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 2; PP. 108-112; H.T. 1; BIBL. 2 REF.Article

ETUDE DU FONCTIONNEMENT DE CONVERTISSEURS PHOTOELECTRIQUES SOUMIS A UN RAYONNEMENT INTENSEVASIL'EV AM; EVDOKIMOV VM; LANDSMAN AP et al.1975; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 2; PP. 18-24; BIBL. 6 REF.Article

FONCTION DE GREEN ET DENSITE D'ETATS DES ELECTRONS DANS UN CHAMP D'IMPURETES DISTRIBUEES ALEATOIREMENTLIDORENKO NS; ARBUZOV YU D; EVDOKIMOV VM et al.1976; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 18; NO 4; PP. 985-991; BIBL. 8 REF.Article

PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF N SIC-PSI HETEROJUNCTIONSEVDOKIMOV VM; STREBKOV DS; TIKHOMIROVA VA et al.1982; GELIOTEHNIKA (TASKENT); ISSN 0130-0997; SUN; DA. 1982; NO 5; PP. 10-15; BIBL. 8 REF.Article

CARACTERISTIQUES PROBABILISTES DES BATTERIES SOLAIRESLIDORENKO NS; ASHARIN LN; BORISOVA NA et al.1980; IZV. AKAD. NAUK SSSR, ENERG. TRANSP.; ISSN 0002-3310; SUN; DA. 1980; NO 6; PP. 26-29Article

MESURE DE LA SURFACE DE SECTION TRANSVERSALE DES MONOFIBRES EN CARBONEFROLOV VI; BARABANOV VN; ZAJTSEV GG et al.1972; ZAVODSK. LAB.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 38; NO 11; PP. 1382-1384Serial Issue

INFLUENCE DES PIEGES SUR LA RAPIDITE DE REPONSE DE DETECTEURS DE RAYONNEMENTS NUCLEAIRES EN SEMICONDUCTEURSEVDOKIMOV VM; ZAKHARCHUK OV; ROMANYUK OA et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 3; PP. 570-573; BIBL. 2 REF.Article

LES PRINCIPES PHYSIQUES DE LA CONVERSION DE L'ENERGIE DU RAYONNEMENT SOLAIRE CONCENTRE, A L'AIDE DE DISPOSITIFS PHOTOELECTRIQUES SEMICONDUCTEURSLIDORENKO NS; EVDOKIMOV VM; MILOVANOV AF et al.1977; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., ENERGET. TRANSP.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 3; PP. 110-115; BIBL. 5 REF.Article

ETUDE DE LA SENSIBILITE DE LA COUCHE DOPEE D'UNE PHOTODIODE DONT L'IMPURETE PRESENTE UNE DISTRIBUTION DE GAUSSBUZANOVA LK; GLIBERMAN A YA; EVDOKIMOV VM et al.1974; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 19; NO 8; PP. 1729-1735; BIBL. 13 REF.Article